SI2337DS

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI2337DS@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
SI2337DS фото 1 SI2337DS фото 1
SI2337DS фото 2 SI2337DS фото 2
SI2337DS фото 3 SI2337DS фото 3
SI2337DS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI2337DS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
4.3 S
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Maximum Continuous Drain Current
-0.96 A
Maximum Drain Source Resistance
0.303 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-80 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
TO-236
Pin Count
3
Series
TrenchFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
500 pF &&64; -40 V
Typical Turn On Delay Time
15 ns
Typical TurnOff Delay Time
20 ns
Width
1.4 mm
обновлено 2017-07-23 07:31:46
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498998 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 192750 шт.

SI2337DS%40VISHAY