SI2333DS

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI2333DS@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
SI2333DS фото 1 SI2333DS фото 1
SI2333DS фото 2 SI2333DS фото 2
SI2333DS фото 3 SI2333DS фото 3
SI2333DS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI2333DS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
TrenchFET® Series
Capacitance, Input
1100 pF &&64; -6 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Current, Drain
-3.3 A
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Gate Charge, Total
11.5 nC
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-236
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
0.75 W
Resistance, Drain to Source On
0.059 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
72 ns
Time, Turn-On Delay
25 ns
Transconductance, Forward
17 S
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC &&64; -6 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-12 V
Voltage, Diode Forward
1.1 V
Voltage, Drain to Source
-12 V
Voltage, Forward, Diode
0.7 V
Voltage, Gate to Source
±8 V
Width
1.4 mm
обновлено 2017-07-23 07:31:46
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498997 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 374091 шт.

SI2333DS%40VISHAY