SI2319DS

Купить со склада от 46,70 руб

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
SI2319DS

Анализ рынка SI2319DS@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
3000
от 3000
56,00 p
Склад
27
39000
от 10000
48,60 p
Склад
26
45755
от 30000
46,70 p
Склад
26
76279
от 10000
58,50 p
Склад
28
643814
от 24000
49,10 p
Склад
28
219141
от 24000
48,70 p

Технические характеристики SI2319DS

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498995 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 46.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 1308863 шт.

SI2319DS%40VISHAY