SI2319DS

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI2319DS@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
SI2319DS фото 1 SI2319DS фото 1
SI2319DS фото 2 SI2319DS фото 2
SI2319DS фото 3 SI2319DS фото 3
SI2319DS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI2319DS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
TrenchFET
Channel Type
P
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
40
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
2.3
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
3
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
82@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
11.3@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
11.3
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
470@20V
Maximum Power Dissipation - (mW)
750
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Typical Output Capacitance - (pF)
85
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Supplier Package
SOT-23
Package Family Name
SOT
Standard Package Name
SOT-23
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-09 07:16:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498995 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 100540 шт.

SI2319DS%40VISHAY