SI2312BDS

Купить со склада от 9,11 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI2312BDS@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
SI2312BDS фото 1 SI2312BDS фото 1
SI2312BDS фото 2 SI2312BDS фото 2
SI2312BDS фото 3 SI2312BDS фото 3
SI2312BDS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI2312BDS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vgs (Max)
В±8V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
обновлено 2017-07-09 07:16:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498991 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 9.11RUB руб. Купить

Доступное количество: 124605 шт.

SI2312BDS%40VISHAY