SI2303BDS

Купить со склада от 19,40 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI2303BDS@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
SI2303BDS фото 1 SI2303BDS фото 1
SI2303BDS фото 2 SI2303BDS фото 2
SI2303BDS фото 3 SI2303BDS фото 3
SI2303BDS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI2303BDS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
2 S
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Maximum Continuous Drain Current
-1.2 A
Maximum Drain Source Resistance
0.38 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
0.7 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
TO-236
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
4.3 nC &&64; -15 V
Typical Input Capacitance @ Vds
180 pF &&64; -15 V
Typical Turn On Delay Time
55 ns
Typical TurnOff Delay Time
10 ns
Width
1.4 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498986 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 19.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 3740 шт.

SI2303BDS%40VISHAY