SI1021R

Купить со склада от 27,70 руб

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
SI1021R

Анализ рынка SI1021R@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
9000
от 9000
30,90 p
Склад
29
18000
от 18000
42,90 p
Склад
26
25525
от 10000
31,10 p
Склад
30
353
от 250
27,70 p
Склад
30
30000
от 10000
33,10 p
Склад
28
18301
от 10000
32,40 p

Технические характеристики SI1021R

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Capacitance, Input
23 pF &&64; -25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Current, Drain
-135 A
Dimensions
1.68 x 0.86 x 0.8 mm
Gate Charge, Total
1.7 nC
Height
0.8 mm
Length
1.68 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Operating and Storage Temperature
-55 to +150 °C
Package Type
SC-75A
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
250 mW
Resistance, Drain to Source On
8 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
35 ns
Time, Turn-On Delay
20 ns
Transconductance, Forward
80 mS
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC &&64; -30 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-60 V
Voltage, Diode Forward
80 V
Voltage, Drain to Source
-60 V
Voltage, Forward, Diode
80 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
0.86 mm
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498953 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 27.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 103651 шт.

SI1021R%40VISHAY