SI1012R

Купить со склада от 10,90 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI1012R@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
SI1012R фото 1 SI1012R фото 1
SI1012R фото 2 SI1012R фото 2
SI1012R фото 3 SI1012R фото 3
SI1012R
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI1012R
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SC-75-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
600 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
700 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
6 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Single
Fall Time
5 ns
Height
0.7 mm
Length
1.58 mm
Pd - Power Dissipation
150 mW
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
5 ns
Series
SI1
Factory Pack Quantity
3000
Tradename
TrenchFET
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
25 ns
Typical Turn-On Delay Time
5 ns
Width
0.76 mm
Part # Aliases
SI1012R-GE3
обновлено 2017-03-05 09:04:44
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 498949 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 10.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 115617 шт.

SI1012R%40VISHAY