ZXT13N50DE6

Купить со склада от 17,90 руб
Worldwide (495)649-84-45 Diodes
Техническая документация:
PDF ZXT13N50DE6@DIODES PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
ZXT13N50DE6 фото 1 ZXT13N50DE6 фото 1
ZXT13N50DE6 фото 2 ZXT13N50DE6 фото 2
ZXT13N50DE6 фото 3 ZXT13N50DE6 фото 3
ZXT13N50DE6
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики ZXT13N50DE6
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
RoHS
Подробности
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
NPN
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7.5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
145 mV
Максимальный постоянный ток коллектора
4 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
115 MHz
Коллектор постоянного токаМин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 100 at 4 A at 2 V, 10 at 10 A at 2 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Вид монтажа
SMDSMT
Упаковка блок
SOT-23-6
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250 at 10 mA at 2 V
Максимальное рассеяние мощности
1.1 W
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Упаковка
Reel
Размер фабричной упаковки
3000
обновлено 2017-03-05 09:04:37
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 484739 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 17.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 68820 шт.

ZXT13N50DE6%40DIODES