ZXT12N50DX

Купить со склада от 82,10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Diodes
Техническая документация:
PDF ZXT12N50DX@DIODES PDF даташит
Другие
названия этого товара:
ZXT12N50DX фото 1 ZXT12N50DX фото 1
ZXT12N50DX фото 2 ZXT12N50DX фото 2
ZXT12N50DX фото 3 ZXT12N50DX фото 3
ZXT12N50DX
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики ZXT12N50DX
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
RoHS
Подробности
Конфигурация
Dual
Полярность транзистора
PNP
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7.5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
135 mV
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
132 MHz
Коллектор постоянного токаМин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 3 A at 2 V, 50 at 5 A at 2 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Вид монтажа
SMDSMT
Упаковка блок
MSOP-8
Непрерывный коллекторный ток
3 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250 at 10 mA at 2 V
Максимальное рассеяние мощности
0.87 W
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Упаковка
Reel
Размер фабричной упаковки
1000
обновлено 2017-07-09 07:16:47
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 484736 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 82.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 1200 шт.

ZXT12N50DX%40DIODES