ZXT12N20DX

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF ZXT12N20DX@DIODES PDF даташит
Другие
названия этого товара:
ZXT12N20DX фото 1 ZXT12N20DX фото 1
ZXT12N20DX фото 2 ZXT12N20DX фото 2
ZXT12N20DX фото 3 ZXT12N20DX фото 3
ZXT12N20DX
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики ZXT12N20DX
Manufacturer
Diodes Incorporated
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
MSOP-8
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
160 mV
Maximum DC Collector Current
3.5 A
Gain Bandwidth Product fT
112 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
ZXT12
Brand
Diodes Incorporated
Continuous Collector Current
3.5 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 200 at 3.5 A at 2 V, 40 at 10 A at 2 V
DC Current Gain hFE Max
250 at 10 mA at 2 V
Height
0.95 mm
Length
3.1 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
0.87 W
Factory Pack Quantity
1000
Width
3.1 mm
Unit Weight
0.004938 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:40

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

ZXT12N20DX%40DIODES