ZXMN3AM832
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка ZXMN3AM832@DIODES - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики ZXMN3AM832
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Diodes Incorporated
Series
-
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250ВµA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 25V
Power - Max
1.13W
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
8-MLP (3x2)
обновлено 19-04-2024
ZXMN3AM832%40DIODES