ZXMN3A02X8

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF ZXMN3A02X8@DIODES PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
ZXMN3A02X8 фото 1 ZXMN3A02X8 фото 1
ZXMN3A02X8 фото 2 ZXMN3A02X8 фото 2
ZXMN3A02X8 фото 3 ZXMN3A02X8 фото 3
ZXMN3A02X8
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики ZXMN3A02X8
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
MSOP-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
6.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance
35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V
Qg - Gate Charge
26.8 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Fall Time
5.5 ns
Height
0.95 mm
Length
3.1 mm
Pd - Power Dissipation
1.1 W
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
5.5 ns
Series
ZXMN3A0
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
35 ns
Typical Turn-On Delay Time
3.9 ns
Width
3.1 mm
Unit Weight
0.004938 oz
обновлено 2017-03-05 09:04:37

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

ZXMN3A02X8%40DIODES