ZVN4106F

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF ZVN4106F@DIODES PDF даташит
Другие
названия этого товара:
ZVN4106F фото 1 ZVN4106F фото 1
ZVN4106F фото 2 ZVN4106F фото 2
ZVN4106F фото 3 ZVN4106F фото 3
ZVN4106F
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики ZVN4106F
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-23-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
200 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Fall Time
7 ns
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Pd - Power Dissipation
330 mW
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
7 ns
Series
ZVN4106
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
FET
Typical Turn-Off Delay Time
6 ns
Typical Turn-On Delay Time
5 ns
Width
1.4 mm
обновлено 2017-07-23 07:31:40

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

ZVN4106F%40DIODES