ZVN2110G

Купить со склада от 33,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Diodes
Техническая документация:
PDF ZVN2110G@DIODES PDF даташит
Другие
названия этого товара:
ZVN2110G фото 1 ZVN2110G фото 1
ZVN2110G фото 2 ZVN2110G фото 2
ZVN2110G фото 3 ZVN2110G фото 3
ZVN2110G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики ZVN2110G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-223-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
500 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single Dual Drain
Fall Time
8 ns
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Pd - Power Dissipation
2 W
Rise Time
4 ns
Series
ZVN2110
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
FET
Typical Turn-Off Delay Time
8 ns
Typical Turn-On Delay Time
4 ns
Width
3.7 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:47
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 484605 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 33.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 99831 шт.

ZVN2110G%40DIODES