IPB081N06L3G

Купить со склада от 64,20 руб

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 60В; 50А; 79Вт; TO263

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IPB081N06L3G@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IPB081N06L3G фото 1 IPB081N06L3G фото 1
IPB081N06L3G фото 2 IPB081N06L3G фото 2
IPB081N06L3G фото 3 IPB081N06L3G фото 3
IPB081N06L3G

Анализ рынка IPB081N06L3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
6
717
от 500
66,80 p
Склад
8
3481
от 2000
64,20 p
Склад
10
3700
от 1000
76,80 p
Склад
9
717
от 100
96,80 p
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IPB081N06L3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
50 A
Rds On - Drain-Source Resistance
6.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qg - Gate Charge
29 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
7 ns
Forward Transconductance - Min
35 S
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
79 W
Rise Time
26 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
37 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Width
9.25 mm
Part # Aliases
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GXT SP000398076
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 28-11-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 4776700 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 64.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 9332 шт.

IPB081N06L3G%40INFIN