IPB030N08N3G

MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IPB030N08N3G

Анализ рынка IPB030N08N3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IPB030N08N3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Package Case
TO-263-7
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
80 V
Id - Continuous Drain Current
160 A
Rds On - Drain-Source Resistance
3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single Quint Source
Fall Time
14 ns
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
214 W
Rise Time
79 ns
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
45 ns
Typical Turn-On Delay Time
23 ns
Width
9.25 mm
Part # Aliases
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GXT SP000444100
Unit Weight
0.056438 oz
обновлено 19-04-2024
IPB030N08N3G%40INFIN