FF400R12KT3

IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
FF400R12KT3

Анализ рынка FF400R12KT3@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики FF400R12KT3

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C
580 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd - Power Dissipation
2 kW
Package Case
62 mm
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Height
30.9 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
61.4 mm
Part # Aliases
FF400R12KT3HOSA1 SP000100791
обновлено 20-04-2024
FF400R12KT3%40INFIN