BSM75GAL120DN2

Купить со склада от 6117,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF BSM75GAL120DN2@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
BSM75GAL120DN2 фото 1 BSM75GAL120DN2 фото 1
BSM75GAL120DN2 фото 2 BSM75GAL120DN2 фото 2
BSM75GAL120DN2 фото 3 BSM75GAL120DN2 фото 3
BSM75GAL120DN2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSM75GAL120DN2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
105 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd - Power Dissipation
625 W
Package Case
Half Bridge GAL 1
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tray
Brand
Infineon Technologies
Height
30.5 mm
Length
94 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Width
34 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:28
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 467076 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 6117.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 37 шт.

BSM75GAL120DN2%40INFIN