IRFP4668

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFP4668@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
7 грамм
IRFP4668 фото 1 IRFP4668 фото 1
IRFP4668 фото 2 IRFP4668 фото 2
IRFP4668 фото 3 IRFP4668 фото 3
IRFP4668
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFP4668
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
25
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
241nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10720pF @ 50V
Vgs (Max)
В±30V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7 mOhm @ 81A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-27 11:00:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 462630 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 32313 шт.

IRFP4668%40INFIN