IRFP4668

Купить со склада от 271,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
7.2167 грамм
IRFP4668

Анализ рынка IRFP4668@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
191
от 100
1 124,00 p
Склад
1-2
1000
от 1000
281,00 p
Склад
1-2
1936
от 275
331,00 p
Склад
4
605
от 100
296,00 p
Склад
26
11481
от 1000
915,00 p
Склад
8
605
от 406
323,00 p

Технические характеристики IRFP4668

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
130 A
Rds On - Drain-Source Resistance
9.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
161 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Height
20.7 mm
Length
15.87 mm
Transistor Type
1 N-Channel
Width
5.31 mm
Brand
Infineon Technologies
Forward Transconductance - Min
150 S
Fall Time
74 ns
Pd - Power Dissipation
520 W
Rise Time
105 ns
Factory Pack Quantity
25
Typical Turn-Off Delay Time
64 ns
Typical Turn-On Delay Time
41 ns
Part # Aliases
SP001572854
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 462630 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 271.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 28535 шт.

IRFP4668%40INFIN