STP11NM80

Купить со склада от 87,10 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STP11NM80@ST PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
STP11NM80 фото 1 STP11NM80 фото 1
STP11NM80 фото 2 STP11NM80 фото 2
STP11NM80 фото 3 STP11NM80 фото 3
STP11NM80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STP11NM80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Power MOSFET Transistors
RoHS
Подробности
Полярность транзистора
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
+- 30 V
Id - Continuous Drain Current
11 A
Rds On - Drain-Source Resistance
400 mOhms
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
150 W
Вид монтажа
Through Hole
Упаковка блок
TO-220
Упаковка
Tube
Торговая марка
STMicroelectronics
Время спада
15 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
8 S
Минимальная рабочая температура
- 65 C
Время нарастания
17 ns
Серия
STP11NM80
Размер фабричной упаковки
50
Типичное время задержки выключения
46 ns
Вес изделия
1.438 g
обновлено 2017-03-05 09:04:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 458421 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 87.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 47472 шт.

STP11NM80%40ST