STB12NM50N

Купить со склада от 243,00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STB12NM50N@ST PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
STB12NM50N фото 1 STB12NM50N фото 1
STB12NM50N фото 2 STB12NM50N фото 2
STB12NM50N фото 3 STB12NM50N фото 3
STB12NM50N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STB12NM50N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source Voltage Vds
550V
On Resistance Rds(on)
380mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs
10V
Threshold Voltage Vgs
3V
Power Dissipation Pd
100W
Transistor Case Style
TO-263
No. of Pins
3
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
SVHC
No SVHC (16-Dec-2013)
Avalanche Single Pulse Energy Eas
350mJ
Capacitance Ciss Typ
880pF
Current Iar
5A
Current Id Max
11A
Junction Temperature Tj Max
150°C
Junction Temperature Tj Min
-55°C
On State resistance @ Vgs = 10V
380mohm
Packaging
Cut Tape
Pulse Current Idm
44A
Rate of Voltage Change dv dt
15V
Termination Type
SMD
Voltage Vds Typ
500V
Voltage Vgs Max
25V
Voltage Vgs Rds on Measurement
10V
Voltage Vgs th Max
4V
Voltage Vgs th Min
2V
обновлено 2017-03-05 09:04:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 458408 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 243.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 358 шт.

STB12NM50N%40ST