BFG410W

Купить со склада от 6,88 руб
Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
PDF BFG410W@NXP PDF даташит
Другие
названия этого товара:
BFG410W фото 1 BFG410W фото 1
BFG410W фото 2 BFG410W фото 2
BFG410W фото 3 BFG410W фото 3
BFG410W
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BFG410W
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
RF Bipolar Transistors
Manufacturer
NXP
RoHS
Details
Transistor Type
Bipolar
Technology
Si
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
4.5 V
Emitter- Base Voltage VEBO
1 V
Continuous Collector Current
0.012 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-343
Packaging
Reel
Brand
NXP Semiconductors
Collector- Base Voltage VCBO
10 V
DC Current Gain hFE Max
50
Gain Bandwidth Product fT
22000 MHz
Height
1 mm
Length
2.2 mm
Maximum DC Collector Current
0.012 A
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Operating Frequency
22000 MHz
Pd - Power Dissipation
54 mW
Factory Pack Quantity
3000
Type
RF Bipolar Small Signal
Width
1.35 mm
Part # Aliases
BFG410W TR
обновлено 2017-07-23 07:31:31
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 455538 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 6.88RUB руб. Купить

Доступное количество: 77334 шт.

BFG410W%40NXP