MJ10012

Купить со склада от 473,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 NTE Electronics
Техническая документация:
PDF MJ10012@NTE PDF даташит
Масса товара:
14 грамм
MJ10012 фото 1 MJ10012 фото 1
MJ10012 фото 2 MJ10012 фото 2
MJ10012 фото 3 MJ10012 фото 3
MJ10012
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJ10012
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Base Current
2 A
Configuration
Common Base
Height
8.89 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Base Voltage
600 V
Maximum Collector Cutoff Current
1 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Maximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Emitter Base Voltage
8 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Maximum Power Dissipation
175 W
Minimum DC Current Gain
20
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-65 to +200 °C
Package Type
TO-3
Pin Count
2
Transistor Type
NPN
обновлено 2017-03-05 09:04:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 453389 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 473.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 544 шт.

MJ10012%40NTE