NE3515S02-T1C

Купить со склада от 155,00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Renesas Electronics
Техническая документация:
PDF NE3515S02-T1C@RENESAS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
NE3515S02-T1C фото 1 NE3515S02-T1C фото 1
NE3515S02-T1C фото 2 NE3515S02-T1C фото 2
NE3515S02-T1C фото 3 NE3515S02-T1C фото 3
NE3515S02-T1C
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NE3515S02-T1C
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
RF JFET Transistors
Manufacturer
CEL
RoHS
Details
Transistor Type
pHEMT
Technology
GaAs
Gain
12.5 dB
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
4 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 3 V
Id - Continuous Drain Current
88 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Pd - Power Dissipation
165 mW
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
S0-2
Packaging
Reel
Brand
CEL
Forward Transconductance - Min
70 mS
NF - Noise Figure
0.3 dB
Operating Frequency
12 GHz
P1dB - Compression Point
14 dBm
Product
RF JFET
Factory Pack Quantity
2000
Type
GaAs pHEMT
обновлено 2017-03-05 09:04:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 451946 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 155.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 823 шт.

NE3515S02-T1C%40RENESAS