NE3510M04-T2

Купить со склада от 45,20 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Renesas Electronics
Техническая документация:
PDF NE3510M04-T2@RENESAS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
NE3510M04-T2 фото 1 NE3510M04-T2 фото 1
NE3510M04-T2 фото 2 NE3510M04-T2 фото 2
NE3510M04-T2 фото 3 NE3510M04-T2 фото 3
NE3510M04-T2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NE3510M04-T2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
RF JFET Transistors
Manufacturer
CEL
RoHS
Details
Transistor Type
HFET
Technology
GaAs
Gain
16 dB
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
4 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 3 V
Id - Continuous Drain Current
97 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
125 mW
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
FTSMM-4 (M04)
Packaging
Reel
Brand
CEL
Forward Transconductance - Min
70 mS
NF - Noise Figure
0.45 dB
Operating Frequency
4 GHz
P1dB - Compression Point
11 dBm
Product
RF JFET
Factory Pack Quantity
3000
Type
GaAs HFET
обновлено 2017-07-23 07:31:30
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 451945 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 45.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 10444 шт.

NE3510M04-T2%40RENESAS