IXGH16N170

Купить со склада от 285,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXGH16N170@IXYS PDF даташит
IXGH16N170 фото 1 IXGH16N170 фото 1
IXGH16N170 фото 2 IXGH16N170 фото 2
IXGH16N170 фото 3 IXGH16N170 фото 3
IXGH16N170
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXGH16N170
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
32 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Pd - Power Dissipation
190 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current
32 A
Continuous Collector Current Ic Max
80 A
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Operating Temperature Range
- 55 C to + 150 C
Series
IXGH16N170
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:30
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 441815 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 285.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 311 шт.

IXGH16N170%40IXYS