NP100P04PDG-E1-AY

Купить со склада от 193,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Renesas Electronics
Техническая документация:
PDF NP100P04PDG-E1-AY@RENESAS PDF даташит
NP100P04PDG-E1-AY фото 1 NP100P04PDG-E1-AY фото 1
NP100P04PDG-E1-AY
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NP100P04PDG-E1-AY
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
NEC
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
P-Channel
Package Case
TO-263
Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Continuous Drain Current
100 A
Power Dissipation
1800 mW
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.0035 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
100 ns
Typical Rise Time
30 ns
Typical Turn-Off Delay Time
300 ns
Packaging
Reel
Gate-Source Breakdown Voltage
+- 20 V
обновлено 2017-07-09 07:16:37
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 441005 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 193.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2330 шт.

NP100P04PDG-E1-AY%40RENESAS