IRF630

Купить со склада от 12,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF IRF630@ST PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF630 фото 1 IRF630 фото 1
IRF630 фото 2 IRF630 фото 2
IRF630 фото 3 IRF630 фото 3
IRF630
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF630
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75 mm
Forward Diode Voltage
1.5 V
Forward Transconductance
4 S
Height
15.75 mm
Length
10.4 mm
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Resistance
0.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
75 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
TO-220
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
540 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
10 ns
Width
4.6 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:26
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 435883 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 12.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 503804 шт.

IRF630%40ST