IRF630

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF IRF630@ST PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF630 фото 1 IRF630 фото 1
IRF630 фото 2 IRF630 фото 2
IRF630 фото 3 IRF630 фото 3
IRF630
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF630
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
9 A
Rds On - Drain-Source Resistance
400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
STMicroelectronics
Configuration
Single
Forward Transconductance - Min
4 S
Height
9.15 mm
Length
10.4 mm
Pd - Power Dissipation
75 W
Rise Time
15 ns
Series
N-channel STripFET
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
4.6 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:37
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 435883 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 512777 шт.

IRF630%40ST