RFP2N10L

Купить со склада от 17,70 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF RFP2N10L@ONS PDF даташит
RFP2N10L фото 1 RFP2N10L фото 1
RFP2N10L
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики RFP2N10L
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
No
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
TO-220AB
Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Continuous Drain Current
2 A
Power Dissipation
25000 mW
Resistance Drain-Source RDS (on)
1.05 Ohm @ 5 V
Typical Fall Time
20 ns
Typical Rise Time
15 ns
Typical Turn-Off Delay Time
25 ns
Gate-Source Breakdown Voltage
10 V
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
обновлено 2017-07-27 11:00:50
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 429434 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 17.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 291 шт.

RFP2N10L%40ONS