NP100P06PDG-E1-AY

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF NP100P06PDG-E1-AY@RENESAS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
NP100P06PDG-E1-AY фото 1 NP100P06PDG-E1-AY фото 1
NP100P06PDG-E1-AY
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NP100P06PDG-E1-AY
Manufacturer
NEC
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
P-Channel
Package Case
TO-263
Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Continuous Drain Current
100 A
Power Dissipation
1800 mW
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.006 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
100 ns
Typical Rise Time
35 ns
Typical Turn-Off Delay Time
275 ns
Packaging
Reel
Gate-Source Breakdown Voltage
+- 20 V
обновлено 2017-03-05 09:04:24

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

NP100P06PDG-E1-AY%40RENESAS