IRF7862

Купить со склада от 21,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7862@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7862 фото 1 IRF7862 фото 1
IRF7862 фото 2 IRF7862 фото 2
IRF7862 фото 3 IRF7862 фото 3
IRF7862
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7862
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
21A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4090pF @ 15V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 20A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
обновлено 2017-07-27 11:00:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 422471 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 21.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 81475 шт.

IRF7862%40INFIN