IXFN80N50P

Купить со склада от 1566,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN80N50P@IXYS PDF даташит
IXFN80N50P фото 1 IXFN80N50P фото 1
IXFN80N50P фото 2 IXFN80N50P фото 2
IXFN80N50P фото 3 IXFN80N50P фото 3
IXFN80N50P
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN80N50P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Chassis Mount
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Id - Continuous Drain Current
66 A
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
18 ns
Forward Transconductance - Min
70 S
Height
9.6 mm
Length
38.2 mm
Pd - Power Dissipation
700 W
Rise Time
27 ns
Series
IXFN80N50
Factory Pack Quantity
10
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
70 ns
Typical Turn-On Delay Time
25 ns
Width
25.07 mm
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:28
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 421718 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1566.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 197 шт.

IXFN80N50P%40IXYS