IXFN80N50P

Купить со склада от 1359,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN80N50P@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN80N50P фото 1 IXFN80N50P фото 1
IXFN80N50P фото 2 IXFN80N50P фото 2
IXFN80N50P фото 3 IXFN80N50P фото 3
IXFN80N50P
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN80N50P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
10
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
PolarHV™
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
66A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12700pF @ 25V
Vgs (Max)
±30V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 500mA, 10V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package Case
SOT-227-4, miniBLOC
обновлено 2017-03-05 09:04:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 421718 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1359.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 887 шт.

IXFN80N50P%40IXYS