IRF7329

Купить со склада от 24,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7329@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRF7329 фото 1 IRF7329 фото 1
IRF7329 фото 2 IRF7329 фото 2
IRF7329 фото 3 IRF7329 фото 3
IRF7329
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7329
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Source, Quad Drain
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
25 S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
-9.2 A
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
-12 V
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC &&64; -4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3450 pF &&64; -10 V
Typical Turn On Delay Time
10 ns
Typical TurnOff Delay Time
340 ns
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 421694 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 24.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 115695 шт.

IRF7329%40INFIN