NE662M04

Купить со склада от 45,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 Renesas Electronics
Техническая документация:
PDF NE662M04@RENESAS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
NE662M04 фото 1 NE662M04 фото 1
NE662M04 фото 2 NE662M04 фото 2
NE662M04 фото 3 NE662M04 фото 3
NE662M04
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NE662M04
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer
CEL
Series
-
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Last Time Buy
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3.3V
Frequency - Transition
25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.1dB @ 2GHz
Gain
17dB
Power - Max
115mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
SOT-343F
Supplier Device Package
SOT-343F
обновлено 2017-07-23 07:31:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 419793 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 45.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 2368 шт.

NE662M04%40RENESAS