NE3514S02-T1C

Купить со склада от 185,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Renesas Electronics
Техническая документация:
PDF NE3514S02-T1C@RENESAS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
NE3514S02-T1C фото 1 NE3514S02-T1C фото 1
NE3514S02-T1C фото 2 NE3514S02-T1C фото 2
NE3514S02-T1C
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NE3514S02-T1C
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом
RoHS
Подробности
Тип
GaAs HEMT
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
55 mS
Напряжение сток-исток (VDS)
4 V
Напряжение пробоя затвор-исток
- 3 V
Непрерывный ток стока
70 mA
Частота
20 GHz
Усиление
10 dB
Рассеяние мощности
165 mW
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Вид монтажа
SMDSMT
Упаковка блок
S0-2
Упаковка
Tape
Шумовая диаграмма
0.75 dB
Продукт
RF JFET
обновлено 2017-03-05 09:04:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 419781 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 185.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 6000 шт.

NE3514S02-T1C%40RENESAS