HGTG30N60C3D

Купить со склада от 855,00 руб

Транзистор IGBT, 600В, 63А, 208Вт, TO247

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
HGTG30N60C3D

Анализ рынка HGTG30N60C3D@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
171
от 100
1 148,00 p
Склад
30
7133
от 1000
1 226,00 p
Склад
29
516
от 506
855,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики HGTG30N60C3D

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
63 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 100 nA
Pd - Power Dissipation
208 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
Fairchild Semiconductor
Continuous Collector Current
63 A
Continuous Collector Current Ic Max
63 A
Height
20.82 mm
Length
15.87 mm
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Series
HGTG30N60C3D
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
4.82 mm
Part # Aliases
HGTG30N60C3D_NL
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 412435 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 855.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 7820 шт.

HGTG30N60C3D%40ONS