STGW30NC60WD
Купить со склада от 289,00 рубБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT
Техническая документация:
Аналоги товара:
Анализ рынка STGW30NC60WD@ST - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
20
6
от 2
3 751,00 p
Склад
27
164
от 100
650,00 p
Склад
27
164
от 100
643,00 p
Склад
26
1021
от 1000
511,00 p
Склад
1-2
68
от 60
308,00 p
Склад
Сегодня
20
от 10
646,00 p
Технические характеристики STGW30NC60WD
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Pd - Power Dissipation
200 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
STMicroelectronics
Continuous Collector Current
30 A
Continuous Collector Current Ic Max
60 A
Height
20.15 mm
Length
15.75 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Series
600-650V IGBTs
Factory Pack Quantity
600
Technology
Si
Width
5.15 mm
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
412259
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 289.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 2207 шт.
STGW30NC60WD%40ST