STGPL6NC60D
IGBT hyper fast Uкэ нас. 2.2-2.9В/56Вт встроенный диод
Техническая документация:
Анализ рынка STGPL6NC60D@ST - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики STGPL6NC60D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
STMicroelectronics
Continuous Collector Current Ic Max
42 A
Height
9.15 mm
Length
10.4 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Series
600-650V IGBTs
Factory Pack Quantity
1000
Technology
Si
Width
4.6 mm
обновлено 19-04-2024
STGPL6NC60D%40ST