ISL9N302AP3

Купить со склада от 108,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Масса товара:
0 грамм
ISL9N302AP3 фото 1 ISL9N302AP3 фото 1
ISL9N302AP3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики ISL9N302AP3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
MOSFET Power
RoHS
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.0019 Ohms
Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Gate-Source Breakdown Voltage
+- 20 V
Continuous Drain Current
75 A
Power Dissipation
345 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220
Packaging
Tube
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Part # Aliases
ISL9N302AP3_NL
обновлено 2017-03-05 09:04:23
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 412167 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 108.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2722 шт.

ISL9N302AP3%40ONS