FDN302P

Купить со склада от 23,80 руб

Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2,4А, 500мВт, SuperSOT-3

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
FDN302P

Анализ рынка FDN302P@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
7
от 7
61,00 p
Склад
1-2
3347
от 1000
41,70 p
Склад
26
7068
от 6000
25,50 p
Склад
28
15736
от 9000
23,80 p
Склад
 
Склад
30
300
от 2415
24,80 p

Технические характеристики FDN302P

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SSOT-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 20 V
Id - Continuous Drain Current
- 2.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
12 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
PowerTrench
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Configuration
Single
Fall Time
11 ns
Forward Transconductance - Min
10 S
Height
1.12 mm
Length
2.9 mm
Pd - Power Dissipation
500 mW (12 W)
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
11 ns
Series
FDN302P
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 P-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
25 ns
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
Width
1.4 mm
Part # Aliases
FDN302P_NL
Unit Weight
0.001058 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 412151 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 23.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 40124 шт.

FDN302P%40ONS