STP4N150

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STP4N150@ST PDF даташит
STP4N150 фото 1 STP4N150 фото 1
STP4N150 фото 2 STP4N150 фото 2
STP4N150 фото 3 STP4N150 фото 3
STP4N150
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STP4N150
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1500 V
Id - Continuous Drain Current
4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
STMicroelectronics
Configuration
Single
Fall Time
45 ns
Forward Transconductance - Min
3.5 S
Height
9.15 mm
Length
10.4 mm
Pd - Power Dissipation
160 W
Rise Time
30 ns
Series
N-channel MDmesh
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
45 ns
Typical Turn-On Delay Time
35 ns
Width
4.6 mm
обновлено 2017-07-23 07:31:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 411982 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 19448 шт.

STP4N150%40ST