IRFS4310

Купить со склада от 0,00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFS4310@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
IRFS4310 фото 1 IRFS4310 фото 1
IRFS4310 фото 2 IRFS4310 фото 2
IRFS4310 фото 3 IRFS4310 фото 3
IRFS4310
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFS4310
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
130 A
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
160 sec
Gate Charge, Total
170 nC
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
130 A
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
300 W
Resistance, Drain to Source On
5.6 Milliohms
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
68 ns
Time, Turn-On Delay
26 ns
Transconductance, Forward
160 S
Typical Gate Charge @ Vgs
170 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
7670 pF &&64; 50 V
Typical Turn On Delay Time
26 ns
Typical TurnOff Delay Time
68 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
9.65 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:22
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 399015 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 18369 шт.

IRFS4310%40INFIN