FDV302P

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FDV302P@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
FDV302P фото 1 FDV302P фото 1
FDV302P фото 2 FDV302P фото 2
FDV302P фото 3 FDV302P фото 3
FDV302P
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FDV302P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-23-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Id - Continuous Drain Current
- 120 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
13 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Fairchild Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
8 ns
Forward Transconductance - Min
0.135 S
Height
1.2 mm
Length
2.9 mm
Pd - Power Dissipation
350 mW
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
8 ns
Series
FDV302P
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 P-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
9 ns
Typical Turn-On Delay Time
5 ns
Width
1.3 mm
Part # Aliases
FDV302P_NL
обновлено 2017-07-23 07:31:26
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 397486 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2576864 шт.

FDV302P%40ONS