FQP4N90C
Купить со склада от 130,00 рубТранзистор N-МОП, полевой, 900В, 2,3А, 140Вт, TO220, QFET®
Техническая документация:
Масса товара:
2.72 грамм
Анализ рынка FQP4N90C@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
128
от 100
266,00 p
Склад
1-2
1088
от 1000
137,00 p
Склад
34
26292
от 1000
200,00 p
Склад
Склад
Склад
1-2
1088
от 1000
137,00 p
Технические характеристики FQP4N90C
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
900 V
Id - Continuous Drain Current
4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Tradename
QFET
Packaging
Tube
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Series
FQP4N90C
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Width
4.7 mm
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Forward Transconductance - Min
5 S
Fall Time
35 ns
Pd - Power Dissipation
140 W
Rise Time
50 ns
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
40 ns
Typical Turn-On Delay Time
25 ns
Unit Weight
0.063493 oz
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
396110
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 130.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 28953 шт.
FQP4N90C%40ONS