IRLR8103V

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLR8103V@INFIN PDF даташит
IRLR8103V фото 1 IRLR8103V фото 1
IRLR8103V фото 2 IRLR8103V фото 2
IRLR8103V фото 3 IRLR8103V фото 3
IRLR8103V
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLR8103V
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
International Rectifier
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
91 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Rds On - Drain-Source Resistance
10.5 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Qg - Gate Charge
27 nC
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
115 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
DPAK-3
Packaging
Reel
Brand
International Rectifier
Channel Mode
Enhancement
Ciss - Input Capacitance
2.672 nF
Configuration
Single
Fall Time
18 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
9 ns
Factory Pack Quantity
2000
Typical Turn-Off Delay Time
24 ns
обновлено 2017-07-09 07:16:29
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 381185 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 35843 шт.

IRLR8103V%40INFIN