APT35GP120BG

Купить со склада от 1621,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Microsemi
Техническая документация:
PDF APT35GP120BG@MICROSEMI PDF даташит
APT35GP120BG фото 1 APT35GP120BG фото 1
APT35GP120BG фото 2 APT35GP120BG фото 2
APT35GP120BG фото 3 APT35GP120BG фото 3
APT35GP120BG
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики APT35GP120BG
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
Microsemi Corporation
Series
POWER MOS 7В®
Packaging
Tube
Part Status
Active
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Current - Collector (Ic) (Max)
96A
Current - Collector Pulsed (Icm)
140A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 35A
Power - Max
543W
Switching Energy
750ВµJ (on), 680ВµJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
150nC
Td (onoff) @ 25В°C
16ns94ns
Test Condition
600V, 35A, 5 Ohm, 15V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247 [B]
обновлено 2017-07-23 07:31:21
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 380966 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1621.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 41 шт.

APT35GP120BG%40MICROSEMI