IXFB72N55Q2

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IXFB72N55Q2@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFB72N55Q2 фото 1 IXFB72N55Q2 фото 1
IXFB72N55Q2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFB72N55Q2
EU RoHS
Compliant
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
258
Product Category
Power MOSFET
Maximum Power Dissipation (mW)
890000
Technology
HiperFET
Maximum Drain Source Voltage (V)
550
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
258@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
10500@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
72@10V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Continuous Drain Current (A)
72
Mounting
Through Hole
Package Height (mm)
21.34(Max)
Package Length (mm)
16.13(Max)
Package Width (mm)
5.21(Max)
PCB changed
3
Standard Package Name
PLUS 267
Supplier Package
PLUS 267
Pin Count
3
обновлено 2017-03-05 09:04:16

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXFB72N55Q2%40IXYS