APT75GP120B2G

Купить со склада от 2246,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Microsemi
Техническая документация:
PDF APT75GP120B2G@MICROSEMI PDF даташит
APT75GP120B2G фото 1 APT75GP120B2G фото 1
APT75GP120B2G фото 2 APT75GP120B2G фото 2
APT75GP120B2G фото 3 APT75GP120B2G фото 3
APT75GP120B2G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики APT75GP120B2G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
Microsemi Corporation
Series
POWER MOS 7В®
Packaging
Tube
Part Status
Active
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 75A
Power - Max
1042W
Switching Energy
1620ВµJ (on), 2500ВµJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
320nC
Td (onoff) @ 25В°C
20ns163ns
Test Condition
600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-247-3 Variant
обновлено 2017-07-09 07:16:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 344537 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2246.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 40 шт.

APT75GP120B2G%40MICROSEMI