IRLR3105

Купить со склада от 67,60 руб

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 25А, 57Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0.6136 грамм
IRLR3105

Анализ рынка IRLR3105@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
1
от 1
309,00 p
Склад
1-2
264
от 205
76,50 p
Склад
4
116
от 100
73,10 p
Склад
27
4985
от 1000
144,00 p
Склад
34
2250
от 1000
127,00 p
Склад
3
50
от 26
94,20 p

Технические характеристики IRLR3105

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Id - Continuous Drain Current
25 A
Rds On - Drain-Source Resistance
43 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 3 V
Qg - Gate Charge
13.3 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
37 ns
Forward Transconductance - Min
15 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
57 W
Rise Time
57 ns
Factory Pack Quantity
2000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
25 ns
Typical Turn-On Delay Time
8 ns
Width
6.22 mm
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 337095 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 67.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 8046 шт.

IRLR3105%40INFIN