FQPF3N80C

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FQPF3N80C@ONS PDF даташит
FQPF3N80C фото 1 FQPF3N80C фото 1
FQPF3N80C фото 2 FQPF3N80C фото 2
FQPF3N80C фото 3 FQPF3N80C фото 3
FQPF3N80C
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FQPF3N80C
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220FP-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Id - Continuous Drain Current
3 A
Rds On - Drain-Source Resistance
4.8 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
QFET
Brand
Fairchild Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
32 ns
Forward Transconductance - Min
3 S
Height
16.07 mm
Length
10.36 mm
Pd - Power Dissipation
39 W
Rise Time
43.5 ns
Series
FQPF3N80C
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
22.5 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Width
4.9 mm
Part # Aliases
FQPF3N80C_NL
обновлено 2017-07-09 07:16:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 335009 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 53240 шт.

FQPF3N80C%40ONS